Skip to main content
EN
ÍS
Leita
Samskiptagátt HÍ
Finna starfsfólk
Vefpóstur
Ugla
Þjónusta
Háskólinn
Fræðasvið og deildir
Félagsvísindasvið
Heilbrigðisvísindasvið
Hugvísindasvið
Menntavísindasvið
Verkfræði- og náttúruvísindasvið
Deildir frá A-Ö
Stjórnskipulag
Rektor
Aðstoðarrektorar
Skrifstofa rektors
Skipurit
Háskólaráð
Nefndir háskólaráðs
Háskólaþing
Lög og reglur
Innri endurskoðun
Sameiginleg stjórnsýsla
Alþjóðasvið
Fjármálasvið
Framkvæmda- og tæknisvið
Kennslusvið
Markaðs- og samskiptasvið
Mannauðssvið
Upplýsingatæknisvið
Vísinda- og nýsköpunarsvið
Mannauður
Laus störf
Erlent starfsfólk
Starfsfólk
Að vinna í HÍ
Starfsmannastefna
Stefna og markmið HÍ
Stefna Háskóla Íslands
Gildi Háskóla Íslands
Önnur stefnuskjöl og áætlanir
Jafnrétti í HÍ
Sjálfbærni í HÍ
Kynningarefni
Um HÍ
Fréttir
HÍ í tölum
Kynningarbæklingar
Myndasöfn
Tímarit HÍ
Árbók HÍ
Miðlun
Leit að fræðimönnum í HÍ
Fyrir fjölmiðla
Hönnunarstaðall
Vefur HÍ
Húsnæði og aðstaða
Háskólabyggingar
Útleiga á stofum
Húsreglur
Listir
Háskólatónleikar
Listasafn
Um skólann
Gæðamál
Ársreikningar
Sjálfbærni og umhverfi
Saga
Eyðublöð
Samstarf
Háskólasamstarf
Siðanefnd háskólanna um vísindarannsóknir
Samstarfsnefnd háskólastigsins
Samstarf opinberu háskólanna
Innlent samstarf
Innviðir á vegvísi
Samstarf og samningar
Alþjóðlegt samstarf
Alþjóðasvið
Samstarfsskólar um nemendaskipti
Aurora
Um Aurora
Fyrir nemendur
Fyrir starfsfólk
Aurora tækifæri
Tengsl við atvinnulífið
Vísindagarðar
Atvinnumiðlun stúdenta - Tengslatorg
Samfélagsverkefni
Samfélagsverkefni HÍ
Samfélagsverkefni nemenda
Hlaðvörp tengd HÍ
Háskólinn og heimsmarkmiðin
Sprettur
Háskólavinir
Háskólavinir
Fyrrverandi starfsfólk
Vísindastarf
Vísindi og nýsköpun
Nýsköpun
Sprotafyrirtæki HÍ
Stuðningur
Vísinda- og nýsköpunarsvið
Miðstöð framhaldsnáms
Styrkir og sjóðir við HÍ
Rannsóknastofnanir og setur
Rannsóknastofnanir
Rannsóknasetur
Rannsóknasamstarf
ROCS rannsóknastofnunin
Stýrihópur HÍ og LSH
COVID rannsóknir og fræði
Nám
Námsframboð
Leita að námi
Grunnnám A-Ö
Fjarnám
Framhaldsnám A-Ö
Doktorsnám A-Ö
Þverfræðilegt nám
Annað nám
Skiptinám
Starfsþjálfun erlendis
Endurmenntun HÍ
Gestanám - opinberir háskólar
Stutt námsdvöl erlendis
Sækja um nám
Velkomin í HÍ
Umsóknarsíða
Staða umsóknar
Fylgigögn með umsókn
Umsókn um grunnnám
Umsókn um framhaldsnám
Námsupplýsingar
Kennsluskrá
Inntökuskilyrði
Skrásetningargjöld
Mat á fyrra námi
Einingamat og einkunnir
Skipulag náms
Kennslualmanak
Fjarnám
Próf
Brautskráning
Nýnemar
Stundatöflur
Nýnemar
Aðgangur að innri vef og tölvukerfi
Félagslíf
Nýnemakynningar
Stuðningur
Nemendaráðgjöf
Nemendaskrá - Umsóknir
Þjónustuborð
Stúdentaráð
Þjónusta
Bókasöfn og bóksala
Tölvuþjónusta
Ritver
Félagsstofnun stúdenta
Tungumálamiðstöð
Húsnæði og aðstaða
Háskólabyggingar
Lesrými og tölvuver
Íþróttahús
Lífið í HÍ
Matsala og kaffistofur
Stúdentaíbúðir
Leikskólar
Samgöngur
Einar Örn Sveinbjörnsson - Professor
–
School of Engineering and Natural Sciences
Einar Örn Sveinbjörnsson
Íslenska
Professor
Location
VR-3 / V03-102
Phone
525 - 5153
Email
einars [at] hi.is
Unit
Faculty of Physical Sciences
Website
http://uni.hi.is/einars
ORCID site
https://orcid.org/0000-0003-4474-5293
Research portal – Einar Örn Sveinbjörnsson
Courses 2024 - 2025
EÐL301G - Solid State and Semiconductor Physics
Collaboration
Dr. Fredrik Allerstam
,
ON Semiconductor
Prof. Jawad ul Hassan
,
Linköping University
Prof. N. Rorsman
,
Chalmers University of Technology
Education
1994
,
Ph.D.
,
Chalmers University of Technology
,
Electrical Engineering
1987
,
MSEE
,
University of Southern California
,
Electrical Engineering
1986
,
B.Sc.
,
University of Iceland
,
Physics
Professional Experience
2008 -
,
Professor,
University of Iceland
2004 -
2008,
Professor,
Microwave Electronics Laboratory Department of Microelectronics and Nanoscience Chalmers University of Technology
2003 -
2004,
Associate Professor,
Microwave Electronics Laboratory Department of Microelectronics and Nanoscience Chalmers University of Technology
2000 -
2003,
Associate Professor,
Solid State Electronics Laboratory Department of Microelectronics Chalmers
1997 -
1999,
Assistant Professor,
Department of Solid State Electronics, Chalmers
1995 -
1996,
Post-doc,
Max Planck Institute for Solid State Research
1989 -
1994,
Ph.D. student,
Chalmers University of Technology
1988 -
1989,
Research and teaching,
Science Institute, University of Iceland
Published works
2024
Detection of Very Fast Interface Traps at 4H-SiC/AlN and 4H-SiC/Al2O3 Interfaces
2023
Improvement of channel-carrier mobility in 4H-SiC MOSFETs correlated with passivation of very fast interface traps using sodium enhanced oxidation
AIP Advances
Observations of very fast electron traps at SiC/high-κ dielectric interfaces
APL Materials
The role of boron related defects in limiting charge carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers
APL Materials
Passivation of Very Fast Near-Interface Traps at the 4H-SiC/SiO
2
Interface Using Sodium Enhanced Oxidation
2022
Mg-doping and free-hole properties of hot-wall MOCVD GaN
Journal of Applied Physics
Detection of near-interface traps in NO annealed 4H-SiC metal oxide semiconductor capacitors combining different electrical characterization methods
Journal of Applied Physics
Observation of Fast Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors Using Capacitance Voltage Analysis at Cryogenic Temperatures
2021
A method for characterizing near-interface traps in SiC metal-oxide-semiconductor capacitors from conductance-temperature spectroscopy measurements
Journal of Applied Physics
2020
Near-Interface Trap Model for the Low Temperature Conductance Signal in SiC MOS Capacitors with Nitrided Gate Oxides
IEEE Transactions on Electron Devices
2019
Enhanced Mobility in InAlN/AlN/GaN HEMTs Using a GaN Interlayer
IEEE Transactions on Electron Devices
CVD growth and properties of on-axis vanadium doped semi-insulating 4H-SiC epilayers
Journal of Applied Physics
Electrical characterization of high k-dielectrics for 4H-SiC MIS devices
Materials Science in Semiconductor Processing
Electrical properties of 4H-SiC MIS capacitors with AlN gate dielectric grown by MOCVD
Solid-State Electronics
Electrical characterization of MOCVD grown single crystalline ALN thin films on 4H-SiC
2018
Electron Trapping in Extended Defects in Microwave AlGaN/GaN HEMTs with Carbon-Doped Buffers
IEEE Transactions on Electron Devices
Electrical characterization of amorphous Al2O3 dielectric films on n-type 4H-SiC
AIP Advances
2017
Low density of near-interface traps at the Al
2
O
3
/4H-SiC interface with Al
2
O
3
made by low temperature oxidation of Al
Conductance signal from near-interface traps in n-type 4H-SiC MOS capacitors under strong accumulation
2016
Oxidation-Induced Deep Levels in n - And p -Type 4H - And 6H -SiC and Their Influence on Carrier Lifetime
Physical Review Applied
Donor and double-donor transitions of the carbon vacancy related EH
6/7
deep level in 4H-SiC
Journal of Applied Physics
Characterization and physical modeling of MOS capacitors in epitaxial graphene monolayers and bilayers on 6H-SiC
AIP Advances
2015
Hysteresis modeling in graphene field effect transistors
Journal of Applied Physics
2014
Deep traps in 4H-SiC MOS capacitors investigated by deep level transient spectroscopy
Carrier lifetime controlling defects Z
1/2
and RB1 in standard and chlorinated chemistry grown 4H-SiC
Crystal Growth and Design
Oxidation induced ON
1
, ON
2a/b
defects in 4h-sic characterized by DLTS
Carrier mobility as a function of temperature in as-grown and H-intercalated epitaxial graphenes on 4H-SiC
2013
Sodium enhanced oxidation
2012
Strong reduction in the density of interface states at the SiO
2
/4H-SiC interface after oxidation in the presence of alkali ions
Physica Scripta
Passivation and depassivation of interface traps at the SiO
2
/4H-SiC interface by potassium ions
Comparison of post-growth carrier lifetime improvement methods for 4H-SiC epilayers
2011
Reduction in the density of interface states at the SiO
2
/4H-SiC interface after dry oxidation in the presence of potassium
2010
The 23rd nordic semiconductor meeting
Physica Scripta T
Investigation of the interface between silicon nitride passivations and AlGaN/AlN/GaN heterostructures by C(V) characterization of metal-insulator- semiconductor-heterostructure capacitors
Journal of Applied Physics
2009
Effect of high temperature oxidation of 4H-SiC on the near-interface traps measured by TDRC
Materials Science Forum
Scattering mechanisms in silicon carbide MOSFETs with gate oxides fabricated using sodium enhanced oxidation technique
1200 V 4H-SiC BJTs with a common emitter current gain of 60 and low on-resistance
Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems
Microelectronics Reliability
A study of deep energy-level traps at the 4H-SiC/SiO
2
interface and their passivation by hydrogen
Influence of passivation oxide properties on SiC Field-plated buried gate MESFETs
Trap and inversion layer mobility characterization using Hall effect in silicon carbide-based MOSFETs with gate oxides grown by sodium enhanced oxidation
IEEE Transactions on Electron Devices
2008
Influence of field plates and surface traps on microwave silicon carbide MESFETs
IEEE Transactions on Electron Devices
Surface passivation oxide effects on the current gain of 4H-SiC bipolar junction transistors
Applied Physics Letters
2007
Formation of deep traps at the 4H-SiC/SiO
2
interface when utilizing sodium enhanced oxidation
A comparative study of surface passivation on SiC BJTs with high current gain
Sodium enhanced oxidation of Si-face 4H-SiC
High frequency 4H-SiC MOSFETs
Comparison between oxidation processes used to obtain the high inversion channel mobility in 4H-SiC MOSFETs
Semiconductor Science and Technology
A strong reduction in the density of near-interface traps at the SiO
2
/4H-SiC interface by sodium enhanced oxidation
Journal of Applied Physics
1200-V 5.2-mΩ · cm
2
4H-SiC BJTs with a high common-emitter current gain
IEEE Electron Device Letters
Formation of deep traps at the 4H-SiC/SiO
2
interface when utilizing sodium enhanced oxidation
Design and fabrication of 4H-SiC RF MOSFETs
IEEE Transactions on Electron Devices
2006
High power-density 4H-SiC RF MOSFETs
Materials Science Forum
Fabrication and characterization of field-plated buried-gate SiC MESFETs
IEEE Electron Device Letters
High power-density 4H-SiC RF MOSFETs
High channel mobility 4H-SiC MOSFETs
Materials Science Forum
High-power-density 4H-SiC RF MOSFETs
IEEE Electron Device Letters
2005
High field-effect mobility in 6H-SiC MOSFET with gate oxides grown in alumina environment
High field effect mobility in Si Face 4H-SiC MOSFET made on sublimation grown epitaxial material
Field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFET with gate oxide grown on aluminium ion-implanted material
High field effect mobility in 6H-SiC MOSFETs with gate oxides grown in alumina environment
Materials Science Forum
Interfaces between 4H-SIC and SiO
2
Journal of Applied Physics
Interface trap properties of thermally oxidized n-type 4H-SiC and 6H-SiC
Solid-State Electronics
High field-effect mobility in n-channel Si Face 4H-SiC MOSFETs with gate oxide grown on aluminum ion-implanted material
IEEE Electron Device Letters
Stable operation of high mobility 4H-SiC MOSFETs at elevated temperatures
Electronics Letters
2004
A comparison between SiO
2
/4H-SiC interface traps on (0001) and (1120) faces
Materials Science Forum
Analysis of the electron traps at the 4H-SiC/SiO
2
interface using combined CV/thermally stimulated current measurements
Microelectronic Engineering
High field effect mobility in Si face 4H-SiC MOSFET transistors
Electronics Letters
Enhancement of inversion channel mobility in 4H-SiC MOSFETs using a gate oxide grown in nitrous oxide (N
2
O)
Materials Science Forum
High field effect electron mobility in Si face 4H-SiC MOSFET
Electronics Letters
2003
A Study of the Shallow Electron Traps at the 4H-SiC/SiO
2
Interface
Observation of interface defects in thermally oxidized SiC using positron annihilation
Applied Physics Letters
Thermal emission of electrons from selected s-shell configurations in InAs/GaAs quantum dots
Applied Physics Letters
Positron annhilation studies of defects at the SiO2/SiC interface
Materials Science Forum
Positron Annihilation Studies of Defects at the SiO
2
/SiC Interface
2002
Comment on Reliable extraction of the energy distribution of Si/SiO
2
interface traps in ultrathin metal-oxide-semiconductor structures [Appl. Phys. Lett. 80, 3952 (2002)]
Applied Physics Letters
On shallow interface states in n type 4H-SiC metal-oxide-semiconductor structures
Low temperature electrical performance of ultrathin oxide MOS capacitors with p
+
poly-Si
1-x
Ge
x
and poly-Si gate materials
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
Cryogenic performance of ultrathin oxide MOS capacitors with in situ doped p
+
poly-Si
1-x
Ge
x
and poly-Si gate materials
Semiconductor Science and Technology
New evidence of interfacial oxide traps in n-type 4H- and 6H-SiC MOS structures
Thermally grown and deposited dielectrics on SiC
2001
Configurationally metastable defects in irradiated epitaxially grown boron-doped p-type Si
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
Border traps in 6H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitors investigated by the thermally-stimulated current technique
Applied Physics Letters
Shallow dopant and surface levels in 6H-SiC MOS structures studied by thermally stimulated current technique
Materials Science Forum
Configurally metastable defect in irradiated epitaxially grown boron doped p-type Si
Physical Review B
2000
Characterization of SiC MOS structures using conductance spectroscopy and capacitance voltage analysis
Materials Science Forum
High-energy He-ion irradiation-induced defects and their influence on the noise behavior of Pd/n-Si
1-x
Ge
x
Schottky junctions
Applied Physics Letters
High-energy He-ion irradiation induced defects and its influence on the noise behavior of Pd/n-Si1-xGex Schottky junctions
Applied Physics Letters
1999
Hydrogen-atom number in platinum-hydrogen complexes in silicon
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
Simple method for the evaluation of the recombination parameters in SiC MOS structures
Microelectronic Engineering
Similarities in the electrical properties of transition metal-hydrogen complexes in silicon
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology
1998
Hydrogen passivation of Be-acceptors in AlGaAs/GaAs quantum well structures
Materials Research Society Symposium - Proceedings
High frequency capacitance measurements on metal-insulator-semiconductor structures in thermal non-equilibrium condition
Solid-State Electronics
On the interpretation of high-frequency capacitance data of SiC MOS structures
Materials Science Forum
1997
Room temperature electroluminescence from D1 dislocations centers in silicon.
Defects in Electronic Materials II
New interpretation of the midgap level in platinum doped silicon
Applied Physics Letters
Room-temperature electroluminescence from dislocations in silicon
Thin Solid Films
New interpretation of the dominant recombination center in platinum doped silicon
Applied Physics Letters
Electrical properties of platinum-hydrogen complexes in silicon
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
High frequency capacitance measurements on metal-insulator-semiconductor structures in thermal non-equilibrium condition
Materials Research Society Symposium - Proceedings
1996
Platinum-Hydrogen complex responsible for the midgap level in Pt-doped silicon
Proceedings of the 23d International Conference on the Physics of Semiconductors
Photoluminescence studies of lithium-gold-related defect complexes in silicon
Materials Science Forum
Proceedings of the 1995 E-MRS Spring Meeting
Hydrogen passivation of gold centers in silicon
Materials Science and Engineering B
Room temperature electroluminescence from dislocation-rich silicon
Applied Physics Letters
1995
Reaction kinetics of hydrogen-gold complexes in silicon
Physical Review B
Hydrogen and lithium passivation of gold in silicon
Materials Research Society Symposium - Proceedings
Lithium-gold-related photoluminescence in n-type silicon
Materials Science Forum
Reversible transformations of hydrogen-gold complexes in silicon
Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors
Lithium-gold-related defect complexes in n-type crystalline silicon
Journal of Applied Physics
1994
Hydrogen-gold-related deep levels in crystalline silicon
Materials Science Forum
Hydrogen passivation of gold in p-type silicon involving hydrogen-gold-related deep levels
Physical Review B
Lithium-gold-related defect complexes in n-type silicon
Physica Scripta
Phosphorus diffusion gettering of gold in silicon
Materials Science Forum
1993
Phosphorus diffusion gettering of gold in silicon
Journal of Applied Physics
1992
Transformation of gold in n-type silicon from a deep level to the gold acceptor level
Defect Engineering in Semiconductor Growth, Processing and Device Technology
Novel hydrogen-gold-related deep acceptor in n-type silicon
Applied Physics Letters
1990
The role of native defects in the optical properties of Li-diffused GaAs
Proceedings of the 14th Nordic Semiconductor Meeting
DLTS technique for the characterization of recombination centers in high resistivity semiconductors
Proceedings of the 14th Nordic Semiconductor Meeting
Photoluminescence study of GaAs diffused with Li
Impurities, Defects and Diffusion in Semiconductors: Bulk and Layered Structures
Keywords for Specialisation:
Physics of semiconductor devices
Wide bandgap semiconductor technologies
Defects in semiconductor devices
Electrical properties of graphene
Háskólinn
Fræðasvið og deildir
Félagsvísindasvið
Heilbrigðisvísindasvið
Rannsóknir
Doktorsnám við Heilbrigðisvísindasvið
Um sviðið
Starfsfólk Heilbrigðisvísindasviðs
Stjórnun Heilbrigðisvísindasviðs
Viðburðir
Hafðu samband
Samstarf
Þjónusta
Heilbrigðisþjónusta
Nemendaþjónusta
Rannsóknaþjónusta
Sviðsskrifstofa
Hugvísindasvið
Rannsóknir
Doktorsnám
Rannsóknastofnanir Hugvísindasviðs
Um sviðið
Algengar spurningar
Alþjóðlegt samstarf
Starfsfólk Hugvísindasviðs
Stundatöflur
Þjónusta
Námsaðstaða
Skrifstofa
Menntavísindasvið
Rannsóknir
Rannsóknir á sviðinu
Útgáfa
Doktorsnám
Um sviðið
Stjórn og starfsfólk
Lög og reglur
Sagan
Viðburðir
Hafðu samband
Þjónusta
Verkfræði- og náttúruvísindasvið
Rannsóknir
Um sviðið
Skrifstofa og starfsfólk Verkfræði- og náttúruvísindasviðs
Hafðu samband
Þjónusta
Húsnæði og aðstaða
Nemendaþjónusta VoN
Deildir frá A-Ö
Deild faggreinakennslu
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknarverkefni
Um deildina
Stjórn og starfsfólk
Deild heilsueflingar, íþrótta og tómstunda
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknarverkefni
Um deildina
Deild kennslu- og menntunarfræði
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknarverkefni
Um deildina
Stjórn og starfsfólk
Deild menntunar og margbreytileika
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknarverkefni
Um deildina
Stjórn og starfsfólk
Félagsfræði-, mannfræði- og þjóðfræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Viðbótardiplóma
Fjarnám
Inntökuskilyrði
Stundatöflur
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknir
Félagsvísindastofnun
Lokaverkefni
Þjóðarspegillinn
Um deildina
Stjórn og starfsfólk
Samstarf
Kynningarefni
Hafðu samband
Félagsráðgjafardeild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Viðbótardiplómanám
Stundatöflur
Móttaka nýnema
Umsókn
Rannsóknir
Doktorsnám
Félagsvísindastofnun
Rannsóknir kennara
Lokaverkefni
Um deildina
Stjórn og starfsfólk
Starfsfólk Félagsráðgjafardeildar
Samstarf
Hafðu samband
Námsmat og reglur
Guðfræði- og trúarbragðafræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Skiptinám
Rannsóknir
Guðfræðistofnun
Doktorsnám
Hugvísindaþing
Ritröð Guðfræðistofnunar
Um deildina
Starfsfólk Guðfræði- og trúarbragðafræðideildar
Húsnæði og aðstaða
Alþjóðlegt samstarf
Kennslustefna Guðfræði- og trúarbragðafræðideildar
Hagfræðideild
Nám
Framhaldsnám
Inntökuskilyrði
Upplýsingar fyrir nýnema
Umsókn
Rannsóknir
Doktorsnám
Hagfræðistofnun
Tímarit um viðskipti og efnahagsmál
Um deildina
Samstarf
Kynningarefni
Hafðu samband
Hjúkrunarfræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Stundatöflur
Umsókn
Rannsóknir
Fræðasvið
Rannsóknasjóður Ingibjargar R. Magnúsdóttur
Rannsóknir við deildina
Um deildina
Saga
Samstarf
Starfsfólk
Stjórnun
Hafðu samband
Iðnaðarverkfræði- vélaverkfræði- og tölvunarfræðideild
Nám
Grunnnám
Umsókn
Rannsóknir
Lokaverkefni í Skemmu
Um deildina
Starfsfólk
Hafðu samband
Íslensku- og menningardeild
Nám
Umsókn
Rannsóknir
Bókmennta- og listfræðastofnun
Málvísindastofnun Háskóla Íslands
Doktorsnám
Hugvísindaþing
Um deildina
Starfsfólk
Jarðvísindadeild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Lokaverkefni í Skemmu
Um deildina
Hafðu samband
Lagadeild
Nám
Grunnnám
Meistaranám
Umsókn
Upplýsingar fyrir nýnema
Algengar spurningar
Stundatöflur
Kennsluskrá
Rannsóknir
Doktorsnám
Lagastofnun Háskóla Íslands
Rannsóknastofnun Ármanns Snævarr um fjölskyldumálefni
Mannréttindastofnun Háskóla Íslands
Um deildina
Stjórn og starfsfólk
Samstarf
Bókasafn
Sagan
Kynningarefni
Lög og reglur Lagadeildar
Hafðu samband
Líf- og umhverfisvísindadeild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Lokaverkefni í Skemmu
Um deildina
Starfsfólk
Hafðu samband
Lyfjafræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Stundatöflur
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknir við deildina
Rannsóknarstofnun um lyfjamál
Um deildina
Starfsfólk
Skrifstofur og stjórnun
Viðurkenningar og styrkir
Kynningarefni
Hafðu samband
Samstarf
Læknadeild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Inntökupróf
Stundatöflur
Umsókn
Rannsóknir
Stofnanir og setur
Fræðasvið í læknisfræði
Rannsóknarverkefni
Um deildina
Starfsfólk
Stjórnun
Samstarf
Aðstaða
Matvæla- og næringarfræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Stundatöflur
Umsókn
Umsagnir nemenda
Rannsóknir
Rannsóknastofnanir
Rannsóknarverkefni
MoN dagur
Um deildina
Starfsfólk
Skrifstofa og stjórn
Samstarf
Aðstaða
Kynningarefni
Hafðu samband
Mála- og menningardeild
Nám
Umsókn
Rannsóknir
Konfúsíusarstofnunin Norðurljós
Stofnun Vigdísar Finnbogadóttur
Doktorsnám
Hugvísindaþing
Um deildina
Starfsfólk
Tungumálamiðstöð
Rafmagns- og tölvuverkfræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Doktorsnám
Lokaverkefni í Skemmu
Um deildina
Starfsfólk
Hafðu samband
Raunvísindadeild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Raunvísindastofnun
Stærðfræðistofa Raunvísindastofnunar
Lokaverkefni í Skemmu
Um deildina
Starfsfólk
Hafðu samband
Sagnfræði- og heimspekideild
Nám
Umsókn
Rannsóknir
Heimspekistofnun
Sagnfræðistofnun
Siðfræðistofnun
Doktorsnám
Hugvísindaþing
Um deildina
Starfsfólk
Sálfræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Inntökuskilyrði
Stundatöflur
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknir við deildina
Lokaverkefni nemenda
Um deildina
Stjórnun og starfsfólk
Samstarf
Sálfræðiráðgjöf háskólanema
Kynningarefni og sagan
Algengar spurningar
Stjórnmálafræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Diplómanám
Stundatöflur
Fjarnám
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknarstofur og stofnanir
Um deildina
Stjórn og starfsfólk
Samstarf
Lög og reglur
Kynningarefni
Hafðu samband
Tannlæknadeild
Nám
Tanntæknanám
Stundatöflur
Umsókn
Rannsóknir
Rannsóknir við deildina
Tannlækningastofnun
Um deildina
Starfsfólk
Skrifstofur og stjórnun
Aðstaða
Kynningarefni
Sagan
Tannlæknaþjónusta
Hafðu samband
Umhverfis- og byggingarverkfræðideild
Nám
Grunnnám
Framhaldsnám
Umsókn
Rannsóknir
Lokaverkefni í Skemmu
Um deildina
Starfsfólk
Hafðu samband
Viðskiptafræðideild
Stjórnskipulag
Rektor
Aðstoðarrektorar
Um aðstoðarrektora
Aðstoðarrektor vísinda
Aðstoðarrektor kennslumála og þróunar
Skrifstofa rektors
Skipurit
Háskólaráð
Um háskólaráð
Nefndir háskólaráðs
Fundargerðir háskólaráðs
Nefndir háskólaráðs
Háskólaþing
Lög og reglur
Lög og reglur HÍ
Leita að lögum og reglum
Um ábyrgð á tölvupósti
Öryggi og persónuvernd á vef Háskóla Íslands
Innri endurskoðun
Sameiginleg stjórnsýsla
Alþjóðasvið
Fjármálasvið
Fjármálasvið
Reikningshald
Ferðaheimildir
Framkvæmda- og tæknisvið
Kennslusvið
Markaðs- og samskiptasvið
Mannauðssvið
Upplýsingatæknisvið
Vísinda- og nýsköpunarsvið
Við höfum áhrif
Mannauður
Laus störf
Erlent starfsfólk
Starfsfólk
Að vinna í HÍ
Starfsmannastefna
Fjölskyldustefna Háskóla Íslands
Stefna og markmið HÍ
Stefna Háskóla Íslands
Gildi Háskóla Íslands
Önnur stefnuskjöl og áætlanir
Gæðastefna
Jafnrétti
Jafnréttisáætlun
Jafnréttismál
Jafnrétti í HÍ
Málstefna
Opinn aðgangur
Stefna um opinn aðgang
Persónuvernd
Rafræn vöktun
Siðareglur
Skjalastefna
Starfsmannastefna
Stefna um opinn aðgang
Opinn aðgangur
Upplýsingaöryggisstefna
Öryggi og vinnuvernd
Jafnrétti í HÍ
Sjálfbærni í HÍ
Kynningarefni
Um HÍ
Fréttir
HÍ í tölum
Kynningarbæklingar
Myndasöfn
Tímarit HÍ
Árbók HÍ
Miðlun
Leit að fræðimönnum í HÍ
Fyrir fjölmiðla
Hönnunarstaðall
Vefur HÍ
Húsnæði og aðstaða
Háskólabyggingar
Útleiga á stofum
Húsreglur
Listir
Háskólatónleikar
Listasafn
Um skólann
Gæðamál
Gæðakerfi og gæðamat
Viðmið og kröfur um gæði doktorsnáms við HÍ
Viðmið og kröfur um gæði meistaranáms við HÍ
Ársreikningar
Sjálfbærni og umhverfi
Saga
Aldarsaga Háskóla Íslands
Háskóli Íslands 75 ára
Byggingarsaga
Heiðursdoktorar
Eyðublöð
Samstarf
Háskólasamstarf
Siðanefnd háskólanna um vísindarannsóknir
Samstarfsnefnd háskólastigsins
Samstarf opinberu háskólanna
Innlent samstarf
Innviðir á vegvísi
Frá sameindum til sniðlækninga: heildstæð aðstaða fyrir nútíma lífvísindi
Efnagreining - frá frumefnum til lífsameinda
Efnagreining - tækjalisti
Efnisvísinda- og efnisverkfræðisetur
EPOS Ísland
Íslenskir rafrænir innviðir
Miðstöð stafrænna hugvísinda og lista
Samstarf og samningar
Alþjóðlegt samstarf
Alþjóðasvið
Samstarfsskólar um nemendaskipti
Aurora
Um Aurora
Fyrir nemendur
Fyrir starfsfólk
Aurora tækifæri
Tengsl við atvinnulífið
Vísindagarðar
Atvinnumiðlun stúdenta - Tengslatorg
Samfélagsverkefni
Samfélagsverkefni HÍ
Barnamenningarhátíð
Biophilia
FLL- tækni og hönnunarkeppnin
Fjársjóður framtíðar
Háskólalestin
Háskóli unga fólksins
Með fróðleik í fararnesti
Nýsköpunarkeppni grunnskólanna
Ungir vísindamenn
Vísindasmiðjan
Vísindavaka
Vísindi á mannamáli
Yfirlit - Samfélagsverkefni HÍ
Samfélagsverkefni nemenda
Ástráður forvarnarstarf læknanema
Bangsaspítalinn
Hugrún - geðfræðslufélag
Lögfræðiaðstoð Orators
Sálfræðiráðgjöf háskólanema
Tannlæknaþjónusta
Samfélagsverkefni yfirlit
Samfélagsverkefni nemenda
Hlaðvörp tengd HÍ
Háskólinn og heimsmarkmiðin
Heimsmarkmiðin
1. Engin fátækt
2. Ekkert hungur
3. Heilsa og vellíðan
4. Menntun fyrir alla
5. Jafnrétti kynjanna
6. Hreint vatn og hreinlætisaðstaða
7. Sjálfbær orka
8. Góð atvinna og hagvöxtur
9. Nýsköpun og uppbygging
10. Aukinn jöfnuður
11. Sjálfbærar borgir og samfélög
12. Ábyrg neysla og framleiðsla
13. Aðgerðir í loftslagsmálum
14. Líf í vatni
15. Líf á landi
16. Friður og réttlæti
17. Samvinna um markmiðin
Sprettur
Háskólavinir
Háskólavinir
Fyrrverandi starfsfólk
Vísindastarf
Vísindi og nýsköpun
Nýsköpun
Sprotafyrirtæki HÍ
Stuðningur
Vísinda- og nýsköpunarsvið
Við höfum áhrif
Miðstöð framhaldsnáms
Styrkir og sjóðir við HÍ
Rannsóknastofnanir og setur
Rannsóknastofnanir
Rannsóknasetur
Austurland
Breiðdalsvík
Hornafjörður
Húsavík
Norðurland vestra
Snæfellsnes
Strandir
Suðurland
Suðurnes
Vestfirðir
Vestmannaeyjar
Þingeyjarsveit
Rannsóknasamstarf
ROCS rannsóknastofnunin
Stýrihópur HÍ og LSH
COVID rannsóknir og fræði
Nám
Námsframboð
Leita að námi
Grunnnám A-Ö
Fjarnám
Framhaldsnám A-Ö
Doktorsnám A-Ö
Þverfræðilegt nám
Annað nám
Skiptinám
Umsókn um skiptinám
Áfangastaðir
Styrkir og fjármögnun
Skilyrði fyrir skiptinámi
Skiptinámsferlið - Skref fyrir skref
Hvers vegna skiptinám?
Hvað segja skiptinemar?
Spurningar og svör um skiptinám
Starfsþjálfun erlendis
Endurmenntun HÍ
Gestanám - opinberir háskólar
Stutt námsdvöl erlendis
Sækja um nám
Velkomin í HÍ
Umsóknarsíða
Staða umsóknar
Fylgigögn með umsókn
Samskiptagátt
Umsókn um grunnnám
Aðalgrein og aukagrein í grunnnámi
Umsókn um framhaldsnám
Námsupplýsingar
Kennsluskrá
Inntökuskilyrði
Skrásetningargjöld
Mat á fyrra námi
Einingamat og einkunnir
Skipulag náms
Kennslualmanak
Fjarnám
Próf
Símenntunarmiðstöðvar
Brautskráning
Doktorsvarnir
Nýnemar
Stundatöflur
Nýnemar
Aðgangur að innri vef og tölvukerfi
Félagslíf
Nýnemakynningar
Stuðningur
Nemendaráðgjöf
Nemendaráðgjöf
Nemendaráðgjöf HÍ
Námsráðgjöf
Starfsráðgjöf
Tengslatorg - atvinnutækifæri
Námskeið og fyrirlestrar
Úrræði í námi og prófum
Nemendaráðgjöf HÍ
Á ég rétt á aðstoð?
Sérúrræði í prófum
Fyrir kennara
Próf
Sálfræðiþjónusta
Nemendaráðgjöf HÍ
Sálfræðiþjónusta Háskóla Íslands
Fleiri stuðningsúrræði
Slökun og núvitund
Geðheilbrigði - fræðsluefni
Nemendaskrá - Umsóknir
Þjónustuborð
Stúdentaráð
Þjónusta
Bókasöfn og bóksala
Tölvuþjónusta
Ritver
Félagsstofnun stúdenta
Tungumálamiðstöð
Húsnæði og aðstaða
Háskólabyggingar
Útleiga á stofum
Húsreglur
Aðalbygging
Askja
Árnagarður
Eirberg
Endurmenntun við Dunhaga
Gimli
Hagi
Háskólabíó
Háskólatorg
Íþróttahús
Laugarvatn
Læknagarður
Lögberg
Neshagi 16
Nýi garður
Oddi
Raunvísindastofnun
Skipholt 37
Stakkahlíð
Setberg
Stapi
Tæknigarður
Veröld - hús Vigdísar
VR-I
VR-II
VR-III
Lesrými og tölvuver
Íþróttahús
Lífið í HÍ
Matsala og kaffistofur
Stúdentaíbúðir
Leikskólar
Samgöngur